طراحی اسیلاتور موج میلی متری باند وسیع کم نویز cmos
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس
- نویسنده میلاد عطایی اشتیانی
- استاد راهنما عبدالرضا نبوی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1389
چکیده
در این پایان نامه نشان خواهیم داد که گین فعال اسیلاتور در فرکانس های موج میلی متری به ازای هر مقدار جریان، برحسب سایز ترانزیستورها و گین فیدبک اسیلاتور، بر خلاف فرکانس های پایین تر نقطه ی کمینه دارد. از طرف دیگر نشان می دهیم که ماهیت نویز ایجاد کننده نویز فاز اسیلاتور موج میلی متری، با ماهیت نویز در فرکانس های پایین تر متفاوت می باشد. این نویز بیشتر ناشی از تبدیل نویز am به pm و نویز گیت اسیلاتور است که در فرکانس های پایین معمولا در نظر گرفته نمی شود. بنابراین در این پایان نامه به طور کلی ادعای مقیاس کردن قطعات فعال، برای یک اسیلاتور با طراحی بهینه در موج میلی متری رد می-گردد و در عین حال روش ها و تکنیک هایی برای کاهش نویز فاز ارائه می گردد. یکی از مهمترین چالش ها در اسیلاتور موج میلی متری، وجود عناصر پارازیتی است. در این پایان نامه با استفاده از ترانسفورماتور، مدار رزونانسی ای با خازن های پارازیتی ایجاد می گردد که باعث حذف میزان زیادی از خازن ها پارازیتی بدون اضافه کردن مساحت و یا توان در فرکانس مطلوب می گردد. با استفاده از این تکنیک، نویز فاز در مقایسه با یک اسیلاتور عمومی، 5db در آفست 1mhz کاهش و پهنای باند قابل تنظیم 70% افزایش می یابد. بدلیل محدودیت گین قطعات فعال برای سیگنال های بزرگ، استفاده از ترانسفورماتور در طراحی موج میلی متری رایج است. در اینجا روشی موثر برای طراحی ترانسفورماتور با کوپلینگ، گین و ضریب کیفیت بالا ارائه شده است. کوپلینگ و گین ترانسفورماتور طراحی شده 0.75 و 2 است در حالی که ضریب کیفیت هر دو سلف این ترانسفورماتور بزرگ تر از 19 می باشد. در انتهای این پایان نامه نیز جانمایی مدار و شبیه سازی های نهایی مداری اسیلاتور آمده است که نشان دهنده عملکرد خوب نوسان ساز موج میلی متری طراحی شده در فرکانس 57ghz، حتی با تکنولوژی 0.18?m می باشد. نویز فاز این نوسان ساز با توان هسته مرکزی 8.5mw در آفست 1mhzی 89dbc/hz- می-باشد در حالی که دارای پهنای باند قابل تنظیم 1.9ghz است.
منابع مشابه
طراحی تقویت کننده ی کم نویز موج میلی متری با خطسانی بالا و مصرف توان کم
در این پایان نامه، یک تکنیک جدید خطی سازی در تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا ارائه شده است. در فرکانس های موج میلی متری به دلیل کاهش گین ذاتی ترانزیستور ها برای تامین بهره ی مناسب تقویت کننده از ساختار های چند طبقه استفاده می شود که این امر علاوه بر افزایش توان مصرفی، میزان خطسانی بلوک طراحی شده را نیز کاهش می دهد. بیشتر تکنیک های خطی سازی فرکانس پایین در این باند، مشخصات اولیه ی تقویت کنند...
15 صفحه اولطراحی پیش تقویت‌کننده RGC کم نویز مدار مجتمع CMOS با پهنای باند GHz 20 و بهره dBΩ 60
در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه میشود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...
متن کاملتحلیل و طراحی نوسانگر موج میلی متری
نوسانگرها عناصر از اصلی سازنده مدارهای فرستنده-گیرنده رادیویی هستند. از فاکتورهای مهم برای یک نوسانگر فرکانس بالا می توان به فرکانس نوسان و توپولوژی مناسب برای کار در ماکزیمم فرکانس نوسان ترانزیستور ( fmax )، دامنه نوسان و نویز فاز را نام برد. از میان انواع مختلف نوسانگرها، انواع lc بخاطر داشتن رفتار نویز فاز بسیار خوب و عملکرد در فرکانس های بالا، معروف هستند. هدف اصلی این پایان نامه تحلیل و طر...
طراحی تقویت کننده کم نویز پهن باند موج میلیمتری
در این پروژه سه تقویت کننده کم نویز موج میلیمتری برای گستره فرکانسی ghz 35-25 طراحی شده است. کلیه تقویت کننده های ارائه شده در این پایان نامه از یک طبقه ورودی سورس مشترک و یک طبقه شبه کسکود تشکیل شده اند تا دستیابی هم زمان به عدد نویز پایین و گین بالا ممکن شود. در این تحقیق، اثر چگالی جریان بر روی طبقات تقویت مختلف بررسی شده و با کاهش چگالی جریان طبقه سورس مشترک ورودی از مقدار بهینه ma/?m 15/0...
15 صفحه اولطراحی تقویت کننده توان موج میلی متری بازده بالا
در این پایان نامه، یک تقویت کننده توان موج میلی متری کلاس a با بازده بالابرای گستره فرکانسی ghz 35-25 و با استفاده از تکنولوژی طراحی شده است. این تقویت کننده توان از دو طبقه کسکود در ورودی و یک طبقه سورس مشترک در خروجی تشکیل شده است تا دست-یابی هم زمان به گین بالا و بازده مورد نظر ممکن شود. در این تحقیق از یک ساختار میان گذر متشکل از دو lc، که یکی پایین گذر و دیگری میان گذر است، جهت انتقال امپد...
15 صفحه اولمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023